電子束光刻機(jī)ZEL304G采用場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)浜弦惑w化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨光刻。該系統(tǒng)標(biāo)配高精度激光干涉樣品臺(tái)，允許用戶(hù)實(shí)現(xiàn)大行程高精度拼接和套刻需求，在新材料、前沿物理研究、半導(dǎo)體、微電 子、光子、量子研究領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
激光干涉樣品臺(tái)
先進(jìn)的激光干涉樣品臺(tái)，滿(mǎn)足大行程高精度拼接和套刻需求
場(chǎng)發(fā)射電子槍
高分辨場(chǎng)發(fā)射電子槍是光刻質(zhì)量的重要保證
圖形發(fā)生器
一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)，允許用戶(hù)快速、 便捷地刻蝕復(fù)雜圖案
| 技術(shù)參數(shù) | 說(shuō)明 |
| 樣品臺(tái)指標(biāo) | |
| 標(biāo)配 | 激光干涉樣品臺(tái) |
| 樣品臺(tái)行程 | ≥105 mm |
| 拼接精度 | 優(yōu)于50nm(平均值+1σ) |
| 套刻精度 | 優(yōu)于50nm(平均值+1σ) |
| 電子槍及成像指標(biāo) | |
| 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍 | 加速電壓20V~30kV;旁側(cè)二次電子探測(cè)器和鏡筒內(nèi)電子探測(cè)器 |
| 圖像分辨率 | ≤1 nm @ 15 kV; ≤1.5 nm @ 1 kV |
| 束流密度 | ＞7000A/cm2:電子束流≥100nA |
| 最小束斑尺寸 | ≤2nm |
| 光刻指標(biāo) | |
| 電子束閘 | 上升沿<100ns |
| 寫(xiě)視場(chǎng) | ≥500x500 um |
| 最小單次曝光線(xiàn)寬 | <15nm(同時(shí)取決于工藝條件) |
| 掃描速度 | ≥20MHz |
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熱門(mén)關(guān)注
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